Gate Capacitance and Off-State Characteristics of E-Mode p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors After Gate Stress Bias
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
1543-186X
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
Gate Capacitance and Off-State Characteristics of E-Mode p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors After Gate Stress Bias ; day:3 ; month:1 ; year:2021 ; pages:1-5
Journal of electronic materials ; (3.1.2021), 1-5
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Urheber
-
Lai, Yu-Chen
Zhong, Yi-Nan
Tsai, Ming-Yan
Hsin, Yue-Ming
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1007/s11664-020-08691-w
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2021020500550701263254
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:26 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Lai, Yu-Chen
- Zhong, Yi-Nan
- Tsai, Ming-Yan
- Hsin, Yue-Ming
- SpringerLink (Online service)
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