Monografie

GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors

Sprache
Englisch
Umfang
155 Seiten
ISBN
978-3-8396-1341-2
Identifier
1159915776

Reihe
Science for systems; Band 35

Thema
HEMT ; Galliumnitrid ; Millimeterwellentechnik ; Multigate-Transistor ; Mesa-Technik ; Leistungssteigerung ; Leistungsverstärker ; Hochschulschrift

Beteiligte Personen und Organisationen
Ture, Erdin
Fraunhofer IAF, Freiburg
Fraunhofer IRB-Verlag

Inhaltsverzeichnis
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Letzte Aktualisierung
16.08.2023, 18:28 MESZ

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