Monografie

GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors

Sprache
Englisch
Identifier
1143602811

Thema
Galliumnitrid; Hochfrequenzleistungstransistor; HEMT; Hochschulschrift

DOI
10.6094/UNIFR/13055
URN
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
26.01.2023, 13:53 MEZ

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