Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate

Weitere Titel
Simulation model for a GaN-HEMT with Schottky p-GaN-Gate
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Dissertation, 2021

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
HEMT
Schaltvorgang
Transistor
Simulation
Eigenerwärmung

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Erlangen
(wer)
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
(wann)
2021
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Weigel, Robert
März, Martin
März, Martin

URN
urn:nbn:de:bvb:29-opus4-170334
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:47 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Endruschat, Achim
  • Weigel, Robert
  • März, Martin
  • Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)

Entstanden

  • 2021

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