Hochschulschrift
Zwischenschichteinfluss auf das Rauschverhalten epitaxialer GaAs-Schottky-Gate Feldeffekttransistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VII, 179 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1982
- Schlagwort
-
MESFET
Feldeffekttransistor
Galliumarsenid
Rauschen
Feldeffekttransistor
Galliumarsenid
Rauschen
- Urheber
-
Ahmed, Mohamed Kamel
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:05 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Ahmed, Mohamed Kamel
Ähnliche Objekte (12)
Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration
Organic modified GaAs Schottky contacts
Organic modified GaAs Schottky contacts
Tunnelspektroskopie an GaAs- und CdS-Schottky-Kontakten
Untersuchung von GaAs-Schottky-Dioden mit Submillimeter-Lasern
Rauschen von mm-Wellenmischern mit GaAs-Schottky-Dioden
Rauschen von mm-Wellenmischern mit GaAs-Schottky-Dioden
Untersuchung tiefer Störstellen an Schottky-Dioden auf GaAs(110)-Spaltflächen [GaAs-Spaltflächen]
Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate
Präzession optisch ausgerichteter Elektronenspins in der Schottky-Randschicht von GaAs
Organisch modifizierte Ag/GaAs-Schottky-Kontakte
Photoemissionsspektroskopie zur Untersuchung der Schottky-Barrieren von Zinn und Antimon auf GaAs(110)-Flächen [GaAs-Flächen]
Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration
Organic modified GaAs Schottky contacts
Organic modified GaAs Schottky contacts
Tunnelspektroskopie an GaAs- und CdS-Schottky-Kontakten
Untersuchung von GaAs-Schottky-Dioden mit Submillimeter-Lasern
Rauschen von mm-Wellenmischern mit GaAs-Schottky-Dioden
Rauschen von mm-Wellenmischern mit GaAs-Schottky-Dioden
Untersuchung tiefer Störstellen an Schottky-Dioden auf GaAs(110)-Spaltflächen [GaAs-Spaltflächen]
Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate
Präzession optisch ausgerichteter Elektronenspins in der Schottky-Randschicht von GaAs
Organisch modifizierte Ag/GaAs-Schottky-Kontakte
Photoemissionsspektroskopie zur Untersuchung der Schottky-Barrieren von Zinn und Antimon auf GaAs(110)-Flächen [GaAs-Flächen]
Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration
Organic modified GaAs Schottky contacts
Organic modified GaAs Schottky contacts
Tunnelspektroskopie an GaAs- und CdS-Schottky-Kontakten
Untersuchung von GaAs-Schottky-Dioden mit Submillimeter-Lasern
Rauschen von mm-Wellenmischern mit GaAs-Schottky-Dioden
Rauschen von mm-Wellenmischern mit GaAs-Schottky-Dioden
Untersuchung tiefer Störstellen an Schottky-Dioden auf GaAs(110)-Spaltflächen [GaAs-Spaltflächen]
Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate
Präzession optisch ausgerichteter Elektronenspins in der Schottky-Randschicht von GaAs
Organisch modifizierte Ag/GaAs-Schottky-Kontakte