Hochschulschrift

Präzession optisch ausgerichteter Elektronenspins in der Schottky-Randschicht von GaAs

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
110 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Als Ms. gedr.
Zugl.: Köln, Univ., Diss., 1986

Schlagwort
Halbleiter
Oberfläche (Physik)
GaAs
Galliumarsenid
Photoemission
Halbleiter
Oberfläche
Galliumarsenid-Bauelement
Galliumarsenid
Fotoemission

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Jülich
(wer)
Zentralbibliothek d. Kernforschungsanlage
(wann)
1986
Urheber
Riechert, Henning

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:51 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Riechert, Henning
  • Zentralbibliothek d. Kernforschungsanlage

Entstanden

  • 1986

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