Hochschulschrift
Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VII, 186 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Duisburg, Gesamthochsch., Diss., 1983
- Schlagwort
-
Galliumarsenid
Transistor
Feldeffekttransistor
Galliumarsenid
Transistor
Feldeffekttransistor
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 11:52 MEZ
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Objekttyp
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