Hochschulschrift | Online-Publikation

Charakterisierung und Präparation von GaN und Herstellung von In-Plane-Gate-Transistoren in AlxGa-x/N/GaN- Heterostrukturen

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Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Bochum, Univ., Diss., 2003

Schlagwort
Galliumnitrid
HEMT
Ionenimplantation
IPG-FET
Photolumineszenz
Galliumnitrid
HEMT
Ionenstrahl
IPG-FET
Photolumineszenz

Urheber

URN
urn:nbn:de:hbz:294-8829
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:26 MESZ

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Objekttyp

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