Hochschulschrift | Online-Publikation

Charakterisierung und Präparation von GaN und Herstellung von In-Plane-Gate-Transistoren in AlxGa-x/N/GaN- Heterostrukturen

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Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Deutsch
Notes
Bochum, Univ., Diss., 2003

Keyword
Galliumnitrid
HEMT
Ionenimplantation
IPG-FET
Photolumineszenz
Galliumnitrid
HEMT
Ionenstrahl
IPG-FET
Photolumineszenz

Creator

URN
urn:nbn:de:hbz:294-8829
Rights
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Last update
15.08.2025, 7:26 AM CEST

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Object type

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