Monografie
Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
-
Marburg, Univ., Diss., 1997
- Identifier
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983848483
Thema
Silicium ; Amorpher Halbleiter ; Wasserstoff ; Dünne Schicht ; PECVD-Verfahren ; Hochschulschrift
Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:56 MEZ
Objekttyp
- Monografie
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