Monografie
Passivating dopant sources for high-efficiency n-type silicon solar cells
- Sprache
-
Englisch
- Umfang
-
287 Seiten
- ISBN
-
978-3-8396-1207-1
- Identifier
-
1138371661
- Reihe
-
Solare Energie- und Systemforschung
Thema
Solarzelle ; Silicium ; n-Halbleiter ; PECVD-Verfahren ; Dotierung ; Passivierung ; Wirkungsgrad ; Hochschulschrift
Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf Teile des Objekts ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.04.2024, 08:53 MESZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Steinhauser, Bernd
- Fraunhofer ISE
- Fraunhofer IRB-Verlag
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