Hochschulschrift
GaN-based heterostructure field effect transistors with ternary and quaternary InAl(Ga)N barrier layers
- Location
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
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21 cm
- Extent
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127 S.
- Language
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Englisch
- Notes
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Ill., graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2013 (Nicht für den Austausch)
- Classification
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Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
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HEMT, Quaternäres System, Polarisation, Halbleiter, Galliumnitrid
- Creator
- Table of contents
- Rights
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- Last update
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11.06.2025, 1:47 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift