Hochschulschrift
GaN-based heterostructure field effect transistors with ternary and quaternary InAl(Ga)N barrier layers
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
127 S.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2013 (Nicht für den Austausch)
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
HEMT, Quaternäres System, Polarisation, Halbleiter, Galliumnitrid
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:47 MESZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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