Hochschulschrift
Threshold Voltage Engineering of GaN-based n-Channel and p-Channel Heterostructure Field Effect Transistors
- Weitere Titel
-
Gezielte Einstellung der Schwellenspannung in GaN-basierten n-Kanal und p-Kanal Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
In: München : Hut, 2015
RWTH Aachen University, Dissertation, 2014
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
- (wann)
-
2015
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:82-rwth-2015-012111
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:33 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Hahn, Herwig
- Vescan, Andrei
- Uren, Michael
- Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Entstanden
- 2015
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