Hochschulschrift
Threshold Voltage Engineering of GaN-based n-Channel and p-Channel Heterostructure Field Effect Transistors
- Alternative title
-
Gezielte Einstellung der Schwellenspannung in GaN-basierten n-Kanal und p-Kanal Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Englisch
- Notes
-
In: München : Hut, 2015
RWTH Aachen University, Dissertation, 2014
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Aachen
- (who)
-
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
- (when)
-
2015
- Creator
- Contributor
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:82-rwth-2015-012111
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
15.08.2025, 7:33 AM CEST
Data provider
This object is provided by:
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Hahn, Herwig
- Vescan, Andrei
- Uren, Michael
- Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Time of origin
- 2015
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