Ternäre Oxide zur Passivierung von GaN-basierten elektronischen Bauelementen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Freiberg, Technische Universität Bergakademie Freiberg, Dissertation, 2022
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Galliumnitrid
HEMT
Passivierung
Grenzfläche
Heterostruktur-Bauelement
Heterostruktur
Aluminiumnitrid
Galliumnitrid
Elektronisches Bauelement
Oxide
Ternäre Verbindungen
Gadolinium
Scandium
Aluminium
Titan
Ätzen
Kristallisation
Photoelektronenspektroskopie
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Freiberg
- (wer)
-
Technische Universität Bergakademie Freiberg
- (wann)
-
2023
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:105-qucosa2-868810
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:50 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Seidel, Sarah
- Heitmann, Johannes
- Vescan, Andrei
- Technische Universität Bergakademie Freiberg
Entstanden
- 2023
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