- Sprache
-
Deutsch
- Identifier
-
1132713072
Thema
Lasertechnologie; Galliumnitrid; MOCVD-Verfahren; Quantenwell; Selektive Epitaxie; Photonischer Kristall; Halbleitertechnologie; Nanolithografie; Lithografie; Wide-gap-Halbleiter; Lumineszenzdiode; Laserdiode; Halbleiterlaser; Nanostruktur; Epitaxie; Heteroepitaxie; Hochschulschrift
Beteiligte Personen und Organisationen
- DOI
-
10.18725/OPARU-4341
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:56 MEZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
Ähnliche Objekte (12)
Nitridische Halbleiter-Nanostrukturen als optisch auslesbare Sensoren
Untersuchungen zu AlBGaN Hetero-Strukturen für UV-LED Anwendungen
GaN-basierte Laserdioden : Epitaxie und Simulation
Simulation der Modendynamik von Fabry-Pérot-Laserdioden unter Berücksichtigung mikroskopischer Effekte
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Untersuchungen von semipolarem (In)GaN auf strukturierten Saphirsubstraten für effiziente grüne Leuchtdioden
(GaIn)(AsP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern
Metall-organische Gasphasenepitaxie von (Al-In)GaN-Halbleiterlaserdioden im Wellenlängenbereich von 440nm bis 500nm
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Controlled growth of GaN columns and 3D core-shell LEDs by MOVPE
Physics, MOVPE growth, and investigation of m-plane GaN films and InGaN/GaN quantum wells on gamma-LiAlO2 substrates
Physics, MOVPE growth and investigation of m-plane GaN films and InGaN/GaN quantum wells on γ-LiAlO2 [gamma-LiAlO2] substrates
Nitridische Halbleiter-Nanostrukturen als optisch auslesbare Sensoren
Untersuchungen zu AlBGaN Hetero-Strukturen für UV-LED Anwendungen
GaN-basierte Laserdioden : Epitaxie und Simulation
Simulation der Modendynamik von Fabry-Pérot-Laserdioden unter Berücksichtigung mikroskopischer Effekte
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Untersuchungen von semipolarem (In)GaN auf strukturierten Saphirsubstraten für effiziente grüne Leuchtdioden
(GaIn)(AsP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern
Metall-organische Gasphasenepitaxie von (Al-In)GaN-Halbleiterlaserdioden im Wellenlängenbereich von 440nm bis 500nm
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Controlled growth of GaN columns and 3D core-shell LEDs by MOVPE
Physics, MOVPE growth, and investigation of m-plane GaN films and InGaN/GaN quantum wells on gamma-LiAlO2 substrates
Physics, MOVPE growth and investigation of m-plane GaN films and InGaN/GaN quantum wells on γ-LiAlO2 [gamma-LiAlO2] substrates
Nitridische Halbleiter-Nanostrukturen als optisch auslesbare Sensoren
Untersuchungen zu AlBGaN Hetero-Strukturen für UV-LED Anwendungen
GaN-basierte Laserdioden : Epitaxie und Simulation
Simulation der Modendynamik von Fabry-Pérot-Laserdioden unter Berücksichtigung mikroskopischer Effekte
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Untersuchungen von semipolarem (In)GaN auf strukturierten Saphirsubstraten für effiziente grüne Leuchtdioden
(GaIn)(AsP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern
Metall-organische Gasphasenepitaxie von (Al-In)GaN-Halbleiterlaserdioden im Wellenlängenbereich von 440nm bis 500nm
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Controlled growth of GaN columns and 3D core-shell LEDs by MOVPE
Physics, MOVPE growth, and investigation of m-plane GaN films and InGaN/GaN quantum wells on gamma-LiAlO2 substrates