Hochschulschrift | Online-Publikation

(GaIn)(AsP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2002

Schlagwort
Drei-Fünf-Halbleiter
Heterostruktur
Laserdiode
Halbleiterlaser ; Heterostruktur ; Drei-Fünf-Halbleiter ; Infrarot ; Epitaxie

Urheber

URN
urn:nbn:de:bsz:25-opus-5905
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:37 MESZ

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Objekttyp

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