Hochschulschrift
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2010
- Keyword
-
Drei-Fünf-Halbleiter
Heterostruktur
Lumineszenzdiode
Versetzung
Lumineszenzdiode ; Wide-gap-Halbleiter ; Drei-Fünf-Halbleiter ; Versetzung ; Quantenwell ; MOCVD-Verfahren ; Elektrolumineszenz
- Creator
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:25-opus-75225
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
25.03.2025, 1:43 PM CET
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
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