Hochschulschrift

Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783839601525
Maße
21 cm
Umfang
164 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2010

Erschienen in
Science for systems ; Bd. 1

Schlagwort
Drei-Fünf-Halbleiter
Heterostruktur
Lumineszenzdiode
Versetzung
Lumineszenzdiode ; Wide-gap-Halbleiter ; Drei-Fünf-Halbleiter ; Versetzung ; Quantenwell ; MOCVD-Verfahren ; Elektrolumineszenz

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Stuttgart
(wer)
Fraunhofer-Verl.
(wann)
2010
Urheber

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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:23 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2010

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