Hochschulschrift
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783839601525
- Maße
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21 cm
- Umfang
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164 S.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Ill., graph. Darst.
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2010
- Erschienen in
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Science for systems ; Bd. 1
- Schlagwort
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Drei-Fünf-Halbleiter
Heterostruktur
Lumineszenzdiode
Versetzung
Lumineszenzdiode ; Wide-gap-Halbleiter ; Drei-Fünf-Halbleiter ; Versetzung ; Quantenwell ; MOCVD-Verfahren ; Elektrolumineszenz
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 14:23 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Maier, Markus
- Fraunhofer-Verl.
Entstanden
- 2010