GaN-basierte Laserdioden : Epitaxie und Simulation

Weitere Titel
GaN based laser diodes : epitaxy and simulation
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Bremen, Universität Bremen, Dissertation, 2003

Klassifikation
Physik
Schlagwort
Galliumnitrid
Epitaxieschicht
Dotierung
Laserdiode
Simulation
Heterostruktur
MOCVD-Verfahren
Galliumnitrid
Laserdiode

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Bremen
(wer)
Staats- und Universitätsbibliothek Bremen
(wann)
2003
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Detlef, Hommel
Detlef, Hommel
Michler, Peter

URN
urn:nbn:de:gbv:46-00106673-13
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:46 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Figge, Stephan
  • Detlef, Hommel
  • Michler, Peter
  • Staats- und Universitätsbibliothek Bremen

Entstanden

  • 2003

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