- Alternative title
-
Epitaxy of (Ga,Mn)As
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Regensburg, Universität Regensburg, Diss., 2012
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Regensburg
- (who)
-
Universitätsbibliothek Regensburg
- (when)
-
2012
- Creator
- Contributor
-
Wegscheider, Werner
Bougeard, Dominique
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:355-epub-258925
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
07.06.2025, 12:25 AM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Utz, Martin
- Wegscheider, Werner
- Bougeard, Dominique
- Universitätsbibliothek Regensburg
Time of origin
- 2012
Other Objects (12)
Epitaxie von (Ga,Mn)As
Epitaxie und Charakterisierung semimagnetischer Heterostrukturen auf Basis von GaMnAs
Laserstimulierte Epitaxie von GaAs
Selektive Epitaxie von (GaIn) (AsP) Schichtstrukturen
Epitaxie von AlGaAs-Schichten auf vorstrukturierten Substraten
Epitaxie und Eigenschaften von zweidimensionalen GaInAs-Halbleiterstrukturen
Molekularstrahl-Epitaxie von GaAs-Schichten
Magnetische Eigenschaften von (Ga, Mn) As-Schichten und Fe- (Ga, Mn) As-Hybridstrukturen
Epitaxie von langwelligen InGaN-Lasern
Mittels metallorganischer Gasphasen-Epitaxie hergestellte nicht legierte Ohmsche Kontakte auf GaAs und GaAlAs
Epitaxie aus der Sn- reichen GaAs-Schmelze : Wachstumsprozess und Einbaumechanismus.
Experimentelle Untersuchungen am magnetischen Hybridsystem (Ga,Mn)As-MnAs
Epitaxie von (Ga,Mn)As
Epitaxie und Charakterisierung semimagnetischer Heterostrukturen auf Basis von GaMnAs
Laserstimulierte Epitaxie von GaAs
Selektive Epitaxie von (GaIn) (AsP) Schichtstrukturen
Epitaxie von AlGaAs-Schichten auf vorstrukturierten Substraten
Epitaxie und Eigenschaften von zweidimensionalen GaInAs-Halbleiterstrukturen
Molekularstrahl-Epitaxie von GaAs-Schichten
Magnetische Eigenschaften von (Ga, Mn) As-Schichten und Fe- (Ga, Mn) As-Hybridstrukturen
Epitaxie von langwelligen InGaN-Lasern
Mittels metallorganischer Gasphasen-Epitaxie hergestellte nicht legierte Ohmsche Kontakte auf GaAs und GaAlAs
Epitaxie aus der Sn- reichen GaAs-Schmelze : Wachstumsprozess und Einbaumechanismus.
Experimentelle Untersuchungen am magnetischen Hybridsystem (Ga,Mn)As-MnAs
Epitaxie von (Ga,Mn)As
Epitaxie und Charakterisierung semimagnetischer Heterostrukturen auf Basis von GaMnAs
Laserstimulierte Epitaxie von GaAs
Selektive Epitaxie von (GaIn) (AsP) Schichtstrukturen
Epitaxie von AlGaAs-Schichten auf vorstrukturierten Substraten
Epitaxie und Eigenschaften von zweidimensionalen GaInAs-Halbleiterstrukturen
Molekularstrahl-Epitaxie von GaAs-Schichten
Magnetische Eigenschaften von (Ga, Mn) As-Schichten und Fe- (Ga, Mn) As-Hybridstrukturen
Epitaxie von langwelligen InGaN-Lasern
Mittels metallorganischer Gasphasen-Epitaxie hergestellte nicht legierte Ohmsche Kontakte auf GaAs und GaAlAs
Epitaxie aus der Sn- reichen GaAs-Schmelze : Wachstumsprozess und Einbaumechanismus.