Monografie
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Deutsch
- Umfang
-
3, III, 152 S.
- Anmerkungen
-
Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 2008
- ISBN
-
978-3-86727-764-8
- Identifier
-
99081145X
Thema
Lumineszenzdiode ; Galliumnitrid ; Indiumnitrid ; Selektive Epitaxie ; Wurtzitstruktur ; Kristallfläche ; Hochschulschrift
Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf Teile des Objekts ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
16.08.2023, 18:33 MESZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
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