Monografie
Verbesserung der lateralen Stromführung in hocheffizienten Halbleiterlichtquellen
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Deutsch
- Umfang
-
III, 169 S.
- Anmerkungen
-
Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 2009
- ISBN
-
978-3-86727-917-8
- Identifier
-
993544010
Thema
Lumineszenzdiode ; Weißes Licht ; Galliumnitrid ; Epitaxieschicht ; Versetzung ; Stromverteilung ; Hochschulschrift
Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf Teile des Objekts ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
16.08.2023, 18:22 MESZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
Ähnliche Objekte (12)
Versetzungsreduzierte AIN- und AIGaNSchichten als Basis für UV LEDs
Versetzungsreduzierte AlN- und AlGaN-Schichten als Basis für UV LEDs
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
Untersuchung der Relaxation und chemischen Zusammensetzung von sehr dünnen GaInN-GaN-Quantenfilm-Strukturen mit hohem Indiumgehalt
Verwendung von Galliumnitrid für optoelektronische Bauelemente auf Basis von Nanokristallen sowie zur Realisierung eines verdünnten magnetischen Halbleiters
Photoelektrochemische Ätz- und Oxidationstechnik für AlGaN und Anwendung in Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten
Growth of AlGaN heterostructures for UV LED applications
Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells : stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion
The blue laser diode : GaN based light emitters and lasers ; with 49 tables
Transmission electron microscopy studies of GaN/γ-LiAlO2 [GaN/gamma-LiAlO2] heterostructures
Dreidimensionale Licht emittierende GaInN-GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld
Versetzungsreduzierte AIN- und AIGaNSchichten als Basis für UV LEDs
Versetzungsreduzierte AlN- und AlGaN-Schichten als Basis für UV LEDs
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
Untersuchung der Relaxation und chemischen Zusammensetzung von sehr dünnen GaInN-GaN-Quantenfilm-Strukturen mit hohem Indiumgehalt
Verwendung von Galliumnitrid für optoelektronische Bauelemente auf Basis von Nanokristallen sowie zur Realisierung eines verdünnten magnetischen Halbleiters
Photoelektrochemische Ätz- und Oxidationstechnik für AlGaN und Anwendung in Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten
Growth of AlGaN heterostructures for UV LED applications
Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells : stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion
The blue laser diode : GaN based light emitters and lasers ; with 49 tables
Transmission electron microscopy studies of GaN/γ-LiAlO2 [GaN/gamma-LiAlO2] heterostructures
Dreidimensionale Licht emittierende GaInN-GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld
Versetzungsreduzierte AIN- und AIGaNSchichten als Basis für UV LEDs
Versetzungsreduzierte AlN- und AlGaN-Schichten als Basis für UV LEDs
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
Untersuchung der Relaxation und chemischen Zusammensetzung von sehr dünnen GaInN-GaN-Quantenfilm-Strukturen mit hohem Indiumgehalt
Verwendung von Galliumnitrid für optoelektronische Bauelemente auf Basis von Nanokristallen sowie zur Realisierung eines verdünnten magnetischen Halbleiters
Photoelektrochemische Ätz- und Oxidationstechnik für AlGaN und Anwendung in Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten
Growth of AlGaN heterostructures for UV LED applications
Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells : stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion
The blue laser diode : GaN based light emitters and lasers ; with 49 tables
Transmission electron microscopy studies of GaN/γ-LiAlO2 [GaN/gamma-LiAlO2] heterostructures