Hochschulschrift
Electrical Characterisation of Ferroelectric Field Effect Transistors based on Ferroelectric HfO2 Thin Films
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
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2191-7167
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Dresden, Technische Universität Dresden, Diss., 2015
- Klassifikation
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Physik
- Schlagwort
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Speicher
Halbleiterspeicher
MOS-Speicher
Nichtflüchtiger Speicher
Elektrischer Speicher
Speicherelement
Feldeffekttransistor
Ferroelektrischer Transistor
Hafniumdioxid
Dünne Schicht
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Dresden
- (wer)
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Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
- (wann)
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2015
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
-
Dresden
- (wer)
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Technische Universität Dresden
- (wann)
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2015
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
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urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-172000
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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25.03.2025, 13:44 MEZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Yurchuk, Ekaterina
- Mikolajick, Thomas
- Dörr, Kathrin
- Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
- Technische Universität Dresden
Entstanden
- 2015