Hochschulschrift

Electrical Characterisation of Ferroelectric Field Effect Transistors based on Ferroelectric HfO2 Thin Films

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
2191-7167
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Dresden, Technische Universität Dresden, Diss., 2015

Klassifikation
Physik
Schlagwort
Speicher
Halbleiterspeicher
MOS-Speicher
Nichtflüchtiger Speicher
Elektrischer Speicher
Speicherelement
Feldeffekttransistor
Ferroelektrischer Transistor
Hafniumdioxid
Dünne Schicht

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
(wann)
2015
Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Technische Universität Dresden
(wann)
2015
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

URN
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-172000
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:44 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2015

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