Monografie

Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen

Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Zugl.: Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2003
ISBN
978-3-8322-2532-2
Identifier
972278400

Thema
Siliciumhalbleiter ; Metallisieren ; Nitride ; Magnetronsputtern ; Diffusion; Diffusionsbarriere; Metallschicht / Dünne Schicht; PVD-Verfahren; Silicium; Sperrstrom; Tantal; Tantalnitride; Titan; Titannitrid; Diode; Festkörperreaktion; Grenzflächenreaktion; Halbleitertechnologie; Hume-Rothery-Phase; Kupfer; Metallisierungsschicht; Metallschicht; Hochschulschrift

Beteiligte Personen und Organisationen

URN
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
26.01.2023, 13:55 MEZ

Objekttyp

  • Monografie

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