The Origin and Formation Mechanism of an Inclined Line‐like Defect in 4H‐SiC Epilayers
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
The Origin and Formation Mechanism of an Inclined Line‐like Defect in 4H‐SiC Epilayers ; day:22 ; month:01 ; year:2022 ; extent:6
Physica status solidi / B. B, Basic solid state physics ; (22.01.2022) (gesamt 6)
- Urheber
-
Karhu, Robin
Ghezellou, Misagh
Ul Hassan, Jawad
- DOI
-
10.1002/pssb.202100512
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2022012214122238522872
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
20.08.2025, 07:38 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Karhu, Robin
- Ghezellou, Misagh
- Ul Hassan, Jawad
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