Hochschulschrift
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783839603420
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
XI, 206 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Techn. Univ., Diss., 2011
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
CVD-Verfahren
Homoepitaxie
Versetzung
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Stuttgart
- (wer)
-
Fraunhofer-Verl.
- (wann)
-
2011
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Fraunhofer IISB, Erlangen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.04.20252025, 12:56 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Kallinger, Birgit
- Fraunhofer IISB, Erlangen
- Fraunhofer-Verl.
Entstanden
- 2011
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