Hochschulschrift
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783839603420
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
XI, 206 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Techn. Univ., Diss., 2011
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
CVD-Verfahren
Homoepitaxie
Versetzung
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Stuttgart
- (who)
-
Fraunhofer-Verl.
- (when)
-
2011
- Creator
- Contributor
-
Fraunhofer IISB, Erlangen
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:56 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Kallinger, Birgit
- Fraunhofer IISB, Erlangen
- Fraunhofer-Verl.
Time of origin
- 2011
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