- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
1573-4803
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
DFT modelling of the edge dislocation in 4H-SiC ; volume:54 ; number:15 ; day:26 ; month:4 ; year:2019 ; pages:10737-10745 ; date:8.2019
Journal of materials science ; 54, Heft 15 (26.4.2019), 10737-10745, 8.2019
- Urheber
-
Łażewski, J.
Jochym, P. T.
Piekarz, P.
Sternik, M.
Parlinski, K.
Cholewiński, J.
Dłużewski, P.
Krukowski, S.
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1007/s10853-019-03630-5
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2019112821592972564438
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 11:01 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Łażewski, J.
- Jochym, P. T.
- Piekarz, P.
- Sternik, M.
- Parlinski, K.
- Cholewiński, J.
- Dłużewski, P.
- Krukowski, S.
- SpringerLink (Online service)
Ähnliche Objekte (12)
Dislocation arrangements in 4H-SiC and their influence on the local crystal lattice properties
Monte Carlo simulations of electron transport in 4H-SiC using the DFT-calculated density of states
Dotierung von 4H-SiC durch Ionenimplantation
Analysis of the basal plane dislocation density and thermomechanical stress during 100 mm PVT growth of 4H-SiC
Aktivierung von Aluminium implantiert in 4H-SiC
Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC Leistungsbauelemente
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Exhaustive characterization of modified Si vacancies in 4H-SiC
Investigation of Implanted Boron in 4H-SiC and Iron in 3C-SiC and Experimental/Theoretical Analysis of the Depletion Zone in 4H-SiC MOS Capacitors
Fabrication of uniform 4H-SiC mesopores by pulsed electrochemical etching
Anharmonic vibrations of the dicarbon antisite defect in 4H-SiC
4h Altenkrempe
Dislocation arrangements in 4H-SiC and their influence on the local crystal lattice properties
Monte Carlo simulations of electron transport in 4H-SiC using the DFT-calculated density of states
Dotierung von 4H-SiC durch Ionenimplantation
Analysis of the basal plane dislocation density and thermomechanical stress during 100 mm PVT growth of 4H-SiC
Aktivierung von Aluminium implantiert in 4H-SiC
Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC Leistungsbauelemente
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Exhaustive characterization of modified Si vacancies in 4H-SiC
Investigation of Implanted Boron in 4H-SiC and Iron in 3C-SiC and Experimental/Theoretical Analysis of the Depletion Zone in 4H-SiC MOS Capacitors
Fabrication of uniform 4H-SiC mesopores by pulsed electrochemical etching
Anharmonic vibrations of the dicarbon antisite defect in 4H-SiC
4h Altenkrempe
Dislocation arrangements in 4H-SiC and their influence on the local crystal lattice properties
Monte Carlo simulations of electron transport in 4H-SiC using the DFT-calculated density of states
Dotierung von 4H-SiC durch Ionenimplantation
Analysis of the basal plane dislocation density and thermomechanical stress during 100 mm PVT growth of 4H-SiC
Aktivierung von Aluminium implantiert in 4H-SiC
Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC Leistungsbauelemente
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Exhaustive characterization of modified Si vacancies in 4H-SiC
Investigation of Implanted Boron in 4H-SiC and Iron in 3C-SiC and Experimental/Theoretical Analysis of the Depletion Zone in 4H-SiC MOS Capacitors
Fabrication of uniform 4H-SiC mesopores by pulsed electrochemical etching
Anharmonic vibrations of the dicarbon antisite defect in 4H-SiC