Investigation of Implanted Boron in 4H-SiC and Iron in 3C-SiC and Experimental/Theoretical Analysis of the Depletion Zone in 4H-SiC MOS Capacitors
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Englisch
- Notes
-
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Dissertation, 2018
- Classification
-
Physik
- Keyword
-
3C-SiC, 4H-SiC, Deep Level, DLTS, Depletion zone, MOS Capacitor
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Erlangen
- (who)
-
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
- (when)
-
2018
- Creator
- Contributor
-
Weber, Heiko
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus4-95949
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
25.03.2025, 1:45 PM CET
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Associated
- Tsirimpis, Athanasios
- Weber, Heiko
- Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
Time of origin
- 2018
Other Objects (12)
Dotierung von 4H-SiC durch Ionenimplantation
Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC Leistungsbauelemente
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Anharmonic vibrations of the dicarbon antisite defect in 4H-SiC
Evaluation of 4H‐SiC MOSFET transfer characteristics using machine‐learning techniques
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices : 4H/6H-SiC
Behaviour of 4H-SiC Power Semiconductor Devices under Extreme Operating Conditions
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices : 4H/6H-SiC
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices: 4H/6H-SiC
Strukturbestimmung an ultradünnen SiO2-Filmen auf 4H-SiC(0001) mittels Photoelektronenspektroskopie und -beugung
Silicon carbide - graphene nano-gratings on 4H and 6H semi-insulating SiC
Entwicklung und Charakterisierung von Trench-Gate-Strukturen für 4H-SiC Leistungs-MOSFETs
Dotierung von 4H-SiC durch Ionenimplantation
Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC Leistungsbauelemente
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Anharmonic vibrations of the dicarbon antisite defect in 4H-SiC
Evaluation of 4H‐SiC MOSFET transfer characteristics using machine‐learning techniques
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices : 4H/6H-SiC
Behaviour of 4H-SiC Power Semiconductor Devices under Extreme Operating Conditions
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices : 4H/6H-SiC
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices: 4H/6H-SiC
Strukturbestimmung an ultradünnen SiO2-Filmen auf 4H-SiC(0001) mittels Photoelektronenspektroskopie und -beugung
Silicon carbide - graphene nano-gratings on 4H and 6H semi-insulating SiC
Entwicklung und Charakterisierung von Trench-Gate-Strukturen für 4H-SiC Leistungs-MOSFETs
Dotierung von 4H-SiC durch Ionenimplantation
Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC Leistungsbauelemente
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Anharmonic vibrations of the dicarbon antisite defect in 4H-SiC
Evaluation of 4H‐SiC MOSFET transfer characteristics using machine‐learning techniques
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices : 4H/6H-SiC
Behaviour of 4H-SiC Power Semiconductor Devices under Extreme Operating Conditions
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices : 4H/6H-SiC
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices: 4H/6H-SiC
Strukturbestimmung an ultradünnen SiO2-Filmen auf 4H-SiC(0001) mittels Photoelektronenspektroskopie und -beugung
Silicon carbide - graphene nano-gratings on 4H and 6H semi-insulating SiC