Investigation of Implanted Boron in 4H-SiC and Iron in 3C-SiC and Experimental/Theoretical Analysis of the Depletion Zone in 4H-SiC MOS Capacitors
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Dissertation, 2018
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
3C-SiC, 4H-SiC, Deep Level, DLTS, Depletion zone, MOS Capacitor
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Erlangen
- (wer)
-
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
- (wann)
-
2018
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Weber, Heiko
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus4-95949
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:46 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Tsirimpis, Athanasios
- Weber, Heiko
- Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
Entstanden
- 2018
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