Hochschulschrift
Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
- Schlagwort
-
Wide-gap-Halbleiter ; Siliciumcarbid ; DLTS ; Impedanzspektroskopie ; Lebensdauerspektroskopie ; Tiefe Störstelle ; Erbium ; Schwefel ; Photoionisatio
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus-2654
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:47 MEZ
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Objekttyp
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