Monografie

Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC

Sprache
Englisch
Anmerkungen
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
Identifier
977229467

Thema
Wide-gap-Halbleiter ; Siliciumcarbid ; DLTS ; Impedanzspektroskopie ; Lebensdauerspektroskopie ; Tiefe Störstelle ; Erbium ; Schwefel ; Photoionisatio; Hochschulschrift

Beteiligte Personen und Organisationen

URN
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Letzte Aktualisierung
26.01.2023, 13:54 MEZ

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Objekttyp

  • Monografie

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