Monografie
Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
- Identifier
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977229467
- URN
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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26.01.2023, 13:54 MEZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Monografie