Hochschulschrift
Zur Physik intrinsischer Defekte in 4H-, 6H- und 3C-Siliziumkarbid
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
Gitterbaufehler
Siliciumcarbid ; Wide-gap-Halbleiter ; Aktivierungsenergie ; Polytypie ; Gitterbaufehler ; Ausheilung ; Temperaturbeständigkeit ; Störstellenniveau,
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus-1934
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:51 MEZ
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Objekttyp
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