Hochschulschrift

Zur Physik intrinsischer Defekte in 4H-, 6H- und 3C-Siliziumkarbid

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005

Schlagwort
Siliciumcarbid
Gitterbaufehler
Siliciumcarbid ; Wide-gap-Halbleiter ; Aktivierungsenergie ; Polytypie ; Gitterbaufehler ; Ausheilung ; Temperaturbeständigkeit ; Störstellenniveau,

Urheber

URN
urn:nbn:de:bvb:29-opus-1934
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:51 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

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