Hochschulschrift
Elektrische Charakterisierung Bauelement-relevanter Defekte in 3C- und 4H-Siliziumkarbid
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2011
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid ; Hall-Effekt ; DLTS ; n-Kanal-FET ; PN-Diode ; Tiefe Störstelle ; Halbleitergrenzfläche ; Gitterbaufehler
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus-24165
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:53 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
Ähnliche Objekte (12)
Elektrische Charakterisierung Bauelement-relevanter Defekte in 3C- und 4H-Siliziumkarbid
Zur Physik intrinsischer Defekte in 4H-, 6H- und 3C-Siliziumkarbid
Siliziumkarbid (4H) : Einkristallzüchtung, Defektcharakterisierung und Auswirkungen der Defekte auf die Eigenschaften elektronischer Bauelemente
Laterale und vertikale Ladungskompensationsstrukturen in 4H-Siliziumkarbid
Elektronische Prozesse und Thermolumineszenz von 4H- und 6H-Siliziumkarbid
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Phosphordotierung von 4H- und 6H-Siliziumkarbid mittels nuklearer Transmutation (NTD)
Untersuchungen an Chalkogen-Donatoren in Silizium und Stickstoff-Donatoren in 4H-Siliziumkarbid
Bauelement-relevante Defekte in Silicium und Siliciumkarbid
Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid
Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC
Bauelement
Elektrische Charakterisierung Bauelement-relevanter Defekte in 3C- und 4H-Siliziumkarbid
Zur Physik intrinsischer Defekte in 4H-, 6H- und 3C-Siliziumkarbid
Siliziumkarbid (4H) : Einkristallzüchtung, Defektcharakterisierung und Auswirkungen der Defekte auf die Eigenschaften elektronischer Bauelemente
Laterale und vertikale Ladungskompensationsstrukturen in 4H-Siliziumkarbid
Elektronische Prozesse und Thermolumineszenz von 4H- und 6H-Siliziumkarbid
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Phosphordotierung von 4H- und 6H-Siliziumkarbid mittels nuklearer Transmutation (NTD)
Untersuchungen an Chalkogen-Donatoren in Silizium und Stickstoff-Donatoren in 4H-Siliziumkarbid
Bauelement-relevante Defekte in Silicium und Siliciumkarbid
Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid
Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC
Bauelement
Elektrische Charakterisierung Bauelement-relevanter Defekte in 3C- und 4H-Siliziumkarbid
Zur Physik intrinsischer Defekte in 4H-, 6H- und 3C-Siliziumkarbid
Siliziumkarbid (4H) : Einkristallzüchtung, Defektcharakterisierung und Auswirkungen der Defekte auf die Eigenschaften elektronischer Bauelemente
Laterale und vertikale Ladungskompensationsstrukturen in 4H-Siliziumkarbid
Elektronische Prozesse und Thermolumineszenz von 4H- und 6H-Siliziumkarbid
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Phosphordotierung von 4H- und 6H-Siliziumkarbid mittels nuklearer Transmutation (NTD)
Untersuchungen an Chalkogen-Donatoren in Silizium und Stickstoff-Donatoren in 4H-Siliziumkarbid
Bauelement-relevante Defekte in Silicium und Siliciumkarbid
Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid
Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC