Hochschulschrift
Elektrische Charakterisierung Bauelement-relevanter Defekte in 3C- und 4H-Siliziumkarbid
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2011
- Keyword
-
Siliciumcarbid ; Hall-Effekt ; DLTS ; n-Kanal-FET ; PN-Diode ; Tiefe Störstelle ; Halbleitergrenzfläche ; Gitterbaufehler
- Creator
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus-24165
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
15.08.2025, 7:34 AM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
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