Hochschulschrift
Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
174, XVI S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1994
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
Störstelle
DLTS
Hall-Effekt
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:06 MEZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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