Monografie
Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid
- Sprache
-
Deutsch
- Umfang
-
174, XVI S.
- Anmerkungen
-
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1994
- Identifier
-
941007960
Thema
Siliciumcarbid ; Störstelle ; DLTS ; Hall-Effekt ; Hochschulschrift
Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf Teile des Objekts ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.04.2024, 08:54 MESZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
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