Hochschulschrift
Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
174, XVI S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1994
- Keyword
-
Siliciumcarbid
Störstelle
DLTS
Hall-Effekt
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.03.2025, 12:06 PM CET
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Object type
- Hochschulschrift
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