Hochschulschrift
Zur Physik intrinsischer Defekte in 4H-, 6H- und 3C-Siliziumkarbid
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
- Keyword
-
Siliciumcarbid
Gitterbaufehler
Siliciumcarbid ; Wide-gap-Halbleiter ; Aktivierungsenergie ; Polytypie ; Gitterbaufehler ; Ausheilung ; Temperaturbeständigkeit ; Störstellenniveau,
- Creator
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus-1934
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
15.08.2025, 7:27 AM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
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