Hochschulschrift | Online-Publikation
Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices : 4H/6H-SiC
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
München, Techn. Univ., Diss., 2000
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
Elektronisches Bauelement
Numerisches Verfahren
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:91-diss2000101115252
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:20 MESZ
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- Hochschulschrift
- Online-Publikation
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