Monografie
Contamination aspects in integrating high dielectric constant and ferroelectric materials into CMOS processes
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2002
- Identifier
-
971989001
Thema
FRAM ; Perowskitstruktur ; CMOS ; Kontamination ; RAM ; Ferroelektrikum ; CMOS ; Kontamination; Hochschulschrift; Online-Publikation
Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:56 MEZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
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