Monografie
Effect of point defects and dislocations on electrical and optical properties of III-V semiconductors
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Halle (Saale), Univ., Diss., 2003
- Identifier
-
969927231
Thema
Galliumarsenid ; Störstelle ; Raman-Effekt ; Kathodolumineszenz ; Galliumnitrid ; Versetzung ; Hochschulschrift; Online-Publikation
Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:57 MEZ
Objekttyp
- Monografie
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