Optimization of metal‐organic chemical vapor deposition regrown n‐GaN

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Physica status solidi. B, Basic research. - 257, 3 (2020) , 1900436, ISSN: 1521-3951

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Freiburg
(wer)
Universität
(wann)
2020
Urheber
Leone, Stefano
Brückner, Peter
Kirste, Lutz
Döring, Philipp
Fuchs, Theodor
Mueller, Stefan
Prescher, Mario
Quay, Rüdiger
Ambacher, Oliver
Beteiligte Personen und Organisationen
Professur für Leistungselektronik

DOI
10.1002/pssb.201900436
URN
urn:nbn:de:bsz:25-freidok-1722041
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:35 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

Entstanden

  • 2020

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