Enhanced AlScN/GaN Heterostructures Grown with a Novel Precursor by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
Enhanced AlScN/GaN Heterostructures Grown with a Novel Precursor by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition ; day:01 ; month:11 ; year:2022 ; extent:5
Physica status solidi / Rapid research letters. Rapid research letters ; (01.11.2022) (gesamt 5)

Urheber
Streicher, Isabel
Leone, Stefano
Kirste, Lutz
Manz, Christian
Straňák, Patrik
Prescher, Mario
Waltereit, Patrick
Mikulla, Michael
Quay, Rüdiger
Ambacher, Oliver

DOI
10.1002/pssr.202200387
URN
urn:nbn:de:101:1-2022110214031415764207
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:22 MESZ

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