Enhanced AlScN/GaN Heterostructures Grown with a Novel Precursor by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
Enhanced AlScN/GaN Heterostructures Grown with a Novel Precursor by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition ; day:01 ; month:11 ; year:2022 ; extent:5
Physica status solidi / Rapid research letters. Rapid research letters ; (01.11.2022) (gesamt 5)
- Urheber
-
Streicher, Isabel
Leone, Stefano
Kirste, Lutz
Manz, Christian
Straňák, Patrik
Prescher, Mario
Waltereit, Patrick
Mikulla, Michael
Quay, Rüdiger
Ambacher, Oliver
- DOI
-
10.1002/pssr.202200387
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2022110214031415764207
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:22 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Streicher, Isabel
- Leone, Stefano
- Kirste, Lutz
- Manz, Christian
- Straňák, Patrik
- Prescher, Mario
- Waltereit, Patrick
- Mikulla, Michael
- Quay, Rüdiger
- Ambacher, Oliver