Optimization of Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition Regrown n‐GaN

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
Optimization of Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition Regrown n‐GaN ; volume:257 ; number:3 ; year:2020 ; extent:8
Physica status solidi / B. B, Basic solid state physics ; 257, Heft 3 (2020) (gesamt 8)

Creator

DOI
10.1002/pssb.201900436
URN
urn:nbn:de:101:1-2022062411032899069960
Rights
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.08.2025, 7:22 AM CEST

Data provider

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