Optimization of metal‐organic chemical vapor deposition regrown n‐GaN

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Physica status solidi. B, Basic research. - 257, 3 (2020) , 1900436, ISSN: 1521-3951

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Freiburg
(wer)
Universität
(wann)
2020
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Professur für Leistungselektronik

DOI
10.1002/pssb.201900436
URN
urn:nbn:de:bsz:25-freidok-1722041
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:50 MEZ

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Beteiligte

Entstanden

  • 2020

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