Hochschulschrift

Pseudo halide vapor phase epitaxy growth of GaN crystals

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Berlin, Humboldt Universität zu Berlin, Diss., 2015

Klassifikation
Physik

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Berlin
(wer)
Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät
(wann)
2015
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Boćkowski, Michał
Fornari, Roberto
Siche, Dietmar

URN
urn:nbn:de:kobv:11-100228230
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:43 MEZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Kachel, Krzysztof
  • Boćkowski, Michał
  • Fornari, Roberto
  • Siche, Dietmar
  • Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Entstanden

  • 2015

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