Hochschulschrift
Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC)
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826588761
3826588762
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
124 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2000
- Schlagwort
-
Wide-bandgap Halbleiter
Siliciumcarbid
MOS-FET
Ionenimplantation
Gate-Oxid
PECVD-Verfahren
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:55 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Scharnholz, Sigo
- Shaker
Entstanden
- 2001
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