Hochschulschrift
Prozessabhängigkeit der Feldeffektbeweglichkeit und Stabilität der Einsatzspannung von 4H-SiC MOS Transistoren
- Location
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783844048728
3844048723
- Dimensions
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21 cm
- Extent
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x, 165 Seiten
- Edition
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[1. Auflage]
- Language
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Deutsch
- Notes
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Illustrationen
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dissertation, 2016
- Bibliographic citation
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Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Band 2016, 3
- Classification
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Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
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Leistungstransistor
MOS-FET
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
MIS
Sperrspannung
Stabilität
Beweglichkeit
Einflussgröße
- Event
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Veröffentlichung
- (where)
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Aachen
- (who)
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Shaker Verlag
- (when)
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2016
- Creator
- Contributor
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.06.2025, 1:38 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Noll, Stefan Johannes
- Shaker Verlag
- Shaker Verlag
Time of origin
- 2016