Hochschulschrift
Prozessabhängigkeit der Feldeffektbeweglichkeit und Stabilität der Einsatzspannung von 4H-SiC MOS Transistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783844048728
3844048723
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
x, 165 Seiten
- Ausgabe
-
[1. Auflage]
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Illustrationen
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dissertation, 2016
- Erschienen in
-
Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Band 2016, 3
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Leistungstransistor
MOS-FET
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
MIS
Sperrspannung
Stabilität
Beweglichkeit
Einflussgröße
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Shaker Verlag
- (wann)
-
2016
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:38 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Noll, Stefan Johannes
- Shaker Verlag
- Shaker Verlag
Entstanden
- 2016
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