Hochschulschrift

Prozessabhängigkeit der Feldeffektbeweglichkeit und Stabilität der Einsatzspannung von 4H-SiC MOS Transistoren

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783844048728
3844048723
Maße
21 cm
Umfang
x, 165 Seiten
Ausgabe
[1. Auflage]
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Illustrationen
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dissertation, 2016

Erschienen in
Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Band 2016, 3

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Leistungstransistor
MOS-FET
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
MIS
Sperrspannung
Stabilität
Beweglichkeit
Einflussgröße

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Aachen
(wer)
Shaker Verlag
(wann)
2016
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:38 MESZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2016

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