Hochschulschrift

Prozessabhängigkeit der Feldeffektbeweglichkeit und Stabilität der Einsatzspannung von 4H-SiC MOS Transistoren

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783844048728
3844048723
Dimensions
21 cm
Extent
x, 165 Seiten
Edition
[1. Auflage]
Language
Deutsch
Notes
Illustrationen
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dissertation, 2016

Bibliographic citation
Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Band 2016, 3

Classification
Elektrotechnik, Elektronik
Keyword
Leistungstransistor
MOS-FET
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
MIS
Sperrspannung
Stabilität
Beweglichkeit
Einflussgröße

Event
Veröffentlichung
(where)
Aachen
(who)
Shaker Verlag
(when)
2016
Creator
Contributor

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Last update
11.06.2025, 1:38 PM CEST

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Object type

  • Hochschulschrift

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Time of origin

  • 2016

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