Hochschulschrift
Prozessabhängigkeit der Feldeffektbeweglichkeit und Stabilität der Einsatzspannung von 4H-SiC MOS Transistoren
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783844048728
3844048723
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
x, 165 Seiten
- Edition
-
[1. Auflage]
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Illustrationen
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dissertation, 2016
- Bibliographic citation
-
Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Band 2016, 3
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
Leistungstransistor
MOS-FET
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
MIS
Sperrspannung
Stabilität
Beweglichkeit
Einflussgröße
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Aachen
- (who)
-
Shaker Verlag
- (when)
-
2016
- Creator
- Contributor
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.06.2025, 1:38 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Noll, Stefan Johannes
- Shaker Verlag
- Shaker Verlag
Time of origin
- 2016
Other Objects (12)
Investigation of Implanted Boron in 4H-SiC and Iron in 3C-SiC and Experimental/Theoretical Analysis of the Depletion Zone in 4H-SiC MOS Capacitors
Modeling and Verification of 4H-SiC Trench MOS Integration using Trench-First-Technology
Hochfrequenz-Modellierung des MOS-Transistors
MOS-Transistoren in selektiver Epitaxie
Dotierung von 4H-SiC durch Ionenimplantation
Modellierung des Hochfrequenzverhaltens von MOS-Transistoren
MOS-Transistoren mit Abmessungen im Nanometerbereich
Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC Leistungsbauelemente
Das dynamische Verhalten des SOI-MOS-Transistors
Ladungstransport in ionenimplantierten buried-channel-MOS-Transistoren
Untersuchungen zur Selbsterhitzung von VLSI MOS-Transistoren
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
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