Hochschulschrift

MOS-Transistoren in selektiver Epitaxie

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
139 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1988

Schlagwort
Transistor
Halbleitertechnik
Isolierstoffe (Elektrotechnik)
Transistor
Halbleitertechnologie

Urheber
Voss, Heinz Jürgen

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:15 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Voss, Heinz Jürgen

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