Hochschulschrift

Selektive Epitaxie von (GaIn) (AsP) Schichtstrukturen

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
III, 129 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1997

Erschienen in
Selected topics of semiconductor physics and technology ; Nr. 3

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
München
(wer)
Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München
(wann)
1997
Urheber
Nutsch, Andreas

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.03.2025, 12:30 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Nutsch, Andreas
  • Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München

Entstanden

  • 1997

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